二极管、三极管、MOSFET管知识点总结

二极管，三极管，MOSFET总结知识点

   二极管    三极管    MOS管 

晶体管（transistor）它是一种固体半导体装置，包括二极管、三极管、场效应管和晶闸管。

二极管

2.动态特性：低频时，可根据电池理解，当二极管加载高频信号时，应考虑二极管的特性。 

（1） PN除上图所示的单向二极管外，还有一个结电容。由于工艺不同，PN结点接触可以减少结电容，但会降低二极管的通流能力。相反，表面接触PN结流能力强，但结电容大。结电容的存在会使二极管流过一定量的反相电荷；因此，实际的二极管需要一段时间来恢复反向阻断能力。 (2)下图，在Tf二极管，二极管正向导通，UF=0.7V，IF很大；然后试着给二极管加反压，反压不会马上加，二极管电流IF在t0时刻降到0。t0-t在此期间，二极管电流不仅不会消失，而且会变成反向电流。这段时间被称为持续增长td（delay，不服控制的时间）。t1 反射电流始终最大，t1-t反向电流反向电流终于减少到0，称为tf（fall）下降时间。 （3）td tf=trr，反向恢复时间。在此期间，二极管反向导通。tf小，寄生电感会产生反向电压，可能会击穿二极管。 (4)恢复系数tf/td描述二极管反向恢复的系数，越大，越不容易产生有害高压。 （5）按trr大小分为二极管，可分为普通二极管（trr>ms,Eg:稳压二极管)(trr=(10ns,50ns))和肖特基二极管(trr<10ns 导通压降小 恢复软度小)。 (6)稳压二极管是正向导通时普通二极管的特性。当它反向导通时，它类似于正向导通，表现为特定电压的电池不是0.7V，它通过改变电流来稳定电压。因此，为了发挥作用，应使用串联电阻。此外，串联电阻应计算合理的电阻值，串联使两端电压成为所需值。

三极管

BJT是双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）的缩写，有PNP和NPN两种组合结构。三极管是电流控制元件。指向基极竖线的是P（NP)，背向基极竖线的是N（PN）。 电流指向基极竖线(可见的剪头背向基极竖线，其实这个剪头就是电流流向之一)N（PN），电流背向基极竖线(可见剪头指向基极竖线)P（NP)，这样可以记住MOS管子一样。，如果你不明白，请先飘过这个蓝色的字。 ·N：指负，指4价硅加少量5价元素砷、磷等；PNP，四价硅中加入少量三价元素，如硼等。 ·NPN管道电压定义、电流定义 ·PNP管道电压定义、电流定义 ·NPN、PNP的PN结 放大状态是发射结正 NPN放大：电压C>B>E PNP放大：电压E>B>C

截止状态为发射反向 饱和状态发射正偏 · 三极管等效电路 （1）Ic=βIb，是三极管的特征方程，N型管的Ib从B–>E，从C–>E （2）β可以认为这取决于生产工艺，从几十到几百不等 (3)三极管只能改变CE间等效电阻RCE来实现Ic=βIb （4）RCE最小化是无法实现的Ic=βIb，称为饱和 （5）RCE最大化是不可能的Ic=βIb，叫截止

输入伏案特性曲线是基极电流与发射结电压之间的关系(可能是集电极与发射结之间的电压)Uce影响)，发射结电压大于0.7v当时，三极管基极开始有电流。(除0时有特殊线，>0.7V基本上是一簇线) 输出伏安特性：在特定的基极电流条件下，集电极电流与集电极发射极压降之间的关系。理想的集电极电流应与基极电流和电压无关，但实际饱和压降Uces为0.3V，当基极电流为0时，为截止区，理想的三极管内部没有电流流，实际的极电极有泄漏电流 。 ·左边是输出伏安特性测量方法，右边是理想的输出伏安特性曲线。 ·伏安特曲线的实际输出 ·输出伏安特性曲线简化 三极管四种工作状态

 1、截止状态  Ibq很小，以至于Icq也很小，相当于没有导通    2、放大状态  Ibq合适，且Icq=βIcq,静态工作点在放大区域，输出伏安特性曲线。一般来说，放大状态是发射结正反偏。    3、饱和状态  在任何状态下，只要Uce<Uces，三极管饱和，即饱和Ibq无论如何增加，Icq都几乎不再增加。一般饱和状态为发射结和集电结    4、倒置状态  放大电路将集电极与发射反转。 

放大电路的静态：指输入信号为零时的状态，电路中只有直流，因此可以通过放大电路的直流通路进行分析。静态时，所有数量都用字母母Q（ Quiescent，沉默)表示。

放大电路的动态:指电路中某一数量发生变化时，其他参数按一定数量级变化。Eg；输入1Mv正弦波变化可获得100Mv的正弦波输出。 静态工作点：当输入信号为零，电路处于直流工作状态时，可以使用这些电流和电压值BJT 特征曲线上的一个确定点通常被称为静态工作点Q。俗话说，三极管静态工作时的基极电流。也就是说，当没有交流信号输入基极时，三极管的基极电流。

静态电阻和动态电阻： 静态和动态时纯电阻的电阻值相同。PN综上所述，静态时电阻是输入伏安特性曲线U/I，动态电阻是输入伏安特性曲线上点切线斜率的倒数。 耦合：英文coupling，在电子学中，耦合是通过适当的方法(有线、无线、电阻、电容、电感、变压器、空间场等)传递能量或信息。

MOS管

1.MOS管的识别 问：哪只脚是S(源极)，哪只脚是G(栅极)哪只脚是D(漏极)?D和S，是N沟还是P沟MOS?1脚和3脚之间存在一个二极管，这个二极管有什么作用?如果接入电路，一般哪个接输入哪个接输出? MOS如何判断三个极？ 它们是N沟还是P沟 2.Mos 寄生二极管 它是由生产工艺引起的，大功率MOS这种寄生二极管从硅片底部引出管漏极。小功率MOS集成芯片中的管道MOS管道为平面结构，漏极的引出方向与硅片上方相同，即与源极相同，无二极管。模拟电路书讲的是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。但是D寄生二极管存在于D极和衬底之间。如果是单晶体管，衬底当然会连接到S极，所以它是自然的DS两者之间有二极管。如果在Ic里面，N—MOS衬底接最低电压，P—MOS衬底与最高电压连接，不一定与S极连接，因此DS之间不一定有寄生二极管。那寄生二极管有什么作用呢？当电路产生大的瞬时反向电流时，可以通过二极管导出，以免击穿MOS管。(起到保护MOS管的作用)

判断寄生二极管的方向 3.MOS管的应用 (1). 开关作用 MOS开关实现信号切换(高低电平) ·MOS管道开关时电路接法

反过来，你能接受吗？那不好。就拿NMOS在管道方面，S极输入D极输出。由于寄生二极管直接导通，S极电压可无条件到达D极（S–>D，PN结正导通，随时导通)，MOS管道失去了开关的功能，同样PMOS反过来，管道也失去了开关功能。接下来谈谈MOS我们可以记住管道的开关条件，无论是P沟还是N沟，G与S极电压进行比较： 

N沟道： Uｇ>Uｓ时导通。 (简单认为)Uｇ=Uｓ时截止。 但UG比US大(或小)多少伏MOS管道会饱和导通吗？这取决于具体情况MOS管，不同的MOS管要求的压差不同。比如笔记本上用于信号切换的MOS管：N7002，2N7002e，2N7002K，2N7002D，FDV301N等。UG比US大3V—5V即可。 P沟通：情况与N沟相反， Uｓ>Uｇ时导通。 (简单认为)Uｇ=Uｓ时截止。 可以简单地认为GS间的PN结导通时，MOS管道会导通。

(2). 隔离作用 想要实现线路上电流的单向流通，比如只让电流通过A->b，阻止由b->A，该怎么办？ 这种做法有一个缺点，二极管会产生压降，失去一些电压信号。MOS管道隔离可以在正向导通时控制非常合适的电压MOS管饱和导通，通过电流时几乎没有压降。让我们来看看防电源反接电路。 当电源反接时，当电路反接时NMOS管道的截止日期保护了负载。当电源正接时，由于电源正接。NMOS管导通压降相对较小，几乎没有电压损失，比在电源端加保险管，然后在负载中并联二极管的方案要好。 参考：https://blog.csdn.net/LINZAI508/article/details/109152441