SOI技术简介、SIMOX技术、BESOI技术、Smart-Cut技术详见：
根据顶层硅膜的厚度和设备工作时耗尽层的厚度，SOI器件可以分为两大类：
1. 一是厚膜部分耗尽SOI器件(Partially Depleted SOI - PD-SOI)，顶层硅膜厚度大于或等于1000，当设备在饱和区工作时，耗尽层小于顶层硅膜厚度，因此部分耗尽； 2. 另一种是薄膜的全耗尽SOI器件(Fully Depleted SOI - FD-SOI)，顶层硅膜厚度小于或等于500，当设备在饱和区工作时，其耗尽层大于顶层硅膜厚度，其体陷阱区完全耗尽。
PD-SOI陷阱没有连接电压，因此处于电悬状态，会导致一些负浮效应（floating-body effect），例如翘曲效应（kink-effect）、寄生双极晶体管及自加热效应。
翘曲效应
翘曲效应是指当漏电压高于某一值时，PD-SOI装置输出特性曲线出现上翘现象。翘曲效应可以简单地理解为PD-SOI NMOS当设备泄漏电压很高时，通道电子通过泄漏极耗尽区附近的高电场加速获得足够的能量，通过碰撞电离产生电子空穴对，新电子通过通道快速到达泄漏极，而空穴流向硅膜中最低电位（即体浮区）。随着漏电压的增加，漏电流不再饱和，而是迅速增加，产生翘曲效应。
通过体接触可以抑制翘曲效应，即将陷阱区域连接到固定电位，从而控制体电位的变化，达到控制陷阱区域的势垒高度，最终稳定源泄漏电路。
寄生双极晶体管效应
根据双极晶体管的理论，集电极在基极开路时击穿电压BVCEO（也就是PD-SOI与基极接地时的击穿电压相比BVCBO要低。当PD-SOI当设备中寄生的双极晶体管导通时，通道电流Ic漏区碰撞电离产生的流入浮空区的电流为基区电流Ib，若倍增因子为M，Ib寄生双极管将被放大β*lb，则漏端电流Id=M（Ic β*lb），放大的基极电流与通道电流一起被漏端翻倍，增大的漏端电流在设备中形成正反馈，当漏端电压足够大使时β(M-1)=1时，设备被击穿。
寄生双极晶体管的效果可以通过体接触抑制，因为体区的多子体可以通过体接触流出，积累程度被削弱。此外，将寄生双极晶体管的基区连接到固定电位，可以控制基区电势的变化，从而改善PD-SOI穿透源漏的目的。
自加热效应
自加热效应(self-heating effect)是指BOX它不仅提供电学隔离，还导致热隔离。因为SiO2的热导率约为硅的1/100SOI当设备工作时，其自身产生的热量不易分散，形成热量积累，导致自加热效果。随着SOI装置硅膜温度急剧升高，晶格散射增强，导致电子载流子迁移率下降。当泄漏电压较大时，输出特性曲线表现为负电导率效应。在Id-Vd饱和区曲线在特征曲线中会略有下降，而不是略有上升。
体接触还可以改善自加热效果，因为体接触不仅可以改善体内多子体的排放路径，还可以提供散热路径，部分热量可以通过体接触通过硅膜和金属排出。
体接触
为了抑制浮体效应，通常把体接到一个固定的电位上，从而控制体电势的变化，这种方法称为体接触。常用的体接触有三种类型：T型栅、H型栅和BTS（Body-Tied-to-Source）型栅。
T型栅就是PD-SOI器件栅极的形状为字母T型，体接触仅在T顶部，因此不对称，具有边缘效应。
H型栅就是PD-SOI器件栅极的形状为字母H型，体接触仅在H的两端，因此对称，无边缘效应。
BTS型栅就是PD-SOI该装置直接在源端形成p 同时接触身体p 身体接触短接到源。BTS型栅PD-SOI设备源漏不对称，源漏端不能交换，电路设计不灵活。
FD-SOI工艺技术与FD-SOI工艺流程见【半导体先进工艺技术系列】SOI技术(下)