? 金、银、铜、铁等容易导电的物体。 ? 绝缘：塑料、橡胶、陶瓷、玻璃等不易导电或完全不导电的物体。 ? 导(Si)、锗(Ge)、金属氧化物等。硅和锗是4价元素，原子最外层轨道上有4价电子。 ? N型半导体：在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在一个多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。 ? P类型半导体：在纯半导体硅或锗（4价）中加入硼、铝等3价元素，由于原子最外层只有3价电子，因此在共价键结构中，由于缺乏价电子，这种混合半导体主要依靠穴位运动，称为穴位半导体或P型半导体，穴位为大多数载流子，热刺激自由电子为少数载流子。

PN结：将一个半导体的一侧与P型半导体混合，另一侧与N型半导体混合，在两个半导体的交界面处形成特殊的薄层。 载流子在半导体中有两种运动方式：扩散运动和漂移运动。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。 在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，载流子将从高浓度区域向低浓度区域移动，称为扩散 扩散和漂移达到动态平衡，形成一定宽度PN形成空间电荷区产生内电场

与内电场相反，内电场被削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正电流，此时称为PN结处于低阻导通状态。

电流方向相反，导通截止日期

条件： 内部:发射区高掺杂，基区薄，集电结面积大 外部:发射结正偏，集电结反偏 大量电子N2通过很薄的基极被集电极吸收，少量电子N基极与空穴复合。N2和N1的比例由三极管内部结构决定。ICBO时： IC/IB=N2/N1=β

概念 NMOS，指利用电子传导电信号的金氧半晶体管。NMOS电路符号如下图所示，其结构图如左图所示，由负掺杂形成的漏极和源极与氧化层上的闸极组成。

PMOS，指利用空穴传递导电信号的金氧半导体。PMOS电路符号如下图所示，其结构如右图所示，是正式掺杂形成的漏极(drain)及源极(source)，与闸极(gate)由闸极下的氧化层组成。

增强N沟通MOS场效应三极管的工作原理分为两个方面进行讨论，一是栅源电压UGS会影响沟通，二是漏源电压UDS也会对沟道产生影响，从而对输出电流，即漏极电流ID产生影响。 栅源电压UGS的控制作用 先令漏源电压UDS=加入栅源电压UGS未来不断增长。UGS给栅极正电荷带来正对SiO从而形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色区域表示。同时，一定的电子电荷会在栅极下的表面产生。如果电子数量较多，则可在泄漏源之间形成导电沟。电子与P型衬底的多子导电性相反，称为反型层。此时若加上UDS ，会有漏极电流ID产生。当UGS虽然添加时间较小，但无法形成有效的沟渠UDS ，也不能形成ID 。当增加UGS，使ID刚出现时，对应UGS称为开启电压，使用UGS(th)或UT表示。

N沟道耗尽型MOSFET结构和符号如下图所示，在栅极下方SiO一定量的正离子混合在绝缘层中。UGS=0时，这些正离子已经感应到电子形成导电沟。因此，只要有漏电电压，就会有漏电电流。

如果是P沟道，箭头则向外