FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD10N20CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A, Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。
欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET N-CH/200V/10A/QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
FQD10N20C 系列 200 V 0.36 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD10N20CTM MOSFET Transistor, N Channel, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
型号 | 品牌 | 下载 |
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FQD10N20CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD12N20LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD13N06LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD1N60CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD13N10LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD13N10TM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD11P06TM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD13N06TM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD19N10LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD1N80TM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
FQD19N10TM | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |