SI7431DP-T1-GE3

SI7431DP-T1-GE3概述

VISHAY  SI7431DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -200 V, 145 mohm, -10 V, -4 V

The is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supply applications.

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Ultra-low ON-resistance
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Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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100% Rg tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range
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SI7431DP-T1-GE3

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