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NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -2.7A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 520 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -340mV/-0.34V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 550mW/0.55W Description & Applications| Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High collector current gain hFE at high IC High efficiency due to less heat generation Smaller required Printed-Circuit Board PCB area than for conventional transistors Applications Dual low power switches e.g. motors, fans Automotive 描述与应用| 特点 低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 高集电极电流能力IC和ICM 高集电极电流IC在高增益（HFE） 由于产生的热量少，效率高 更小的印刷电路板（PCB）面积比传统的晶体管 应用 双低功率开关（例如电机，风机） 汽车