PHT4NQ10LT

PHT4NQ10LT N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10L 高密度/DMOS技术

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 100V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 16V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 6.9W Description & Applications| 描述与应用|