STGW80H65DFB

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
IGBT 650V 120A 469W TO-247

欧时:
STMicroelectronics IGBT, STGW80H65DFB, 3引脚, TO-247封装, Vce=650 V, 120 A, ±20V

立创商城:
STGW80H65DFB

e络盟:
单晶体管, IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

力源芯城:
650V,120A,IGBT带二极管