SE150110G
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- 制造商编号：
- SE150110G
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.112722 | ￥13.11 |
| 10 | ￥11.447109 | ￥114.47 |
| 30 | ￥10.407427 | ￥312.22 |
| 100 | ￥8.383655 | ￥838.37 |
| 500 | ￥7.879515 | ￥3939.76 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE150110G
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
110A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
7.8mΩ @ 55A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
300W
类型
N沟道
包装方式
编带
SE150110G 同类别型号
注
SE150110G品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购SE150110G、查询SE150110G代理商；
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替代型号
、SE150110G
数据手册PDF。
SE150110G
型号：SE150110G
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.112722 |
| 10+： | ￥11.447109 |
| 30+： | ￥10.407427 |
| 100+： | ￥8.383655 |
| 500+： | ￥7.879515 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.11