IXTT10P60

IXTT10P60图片1
IXTT10P60概述

TO-268P-CH 600V 10A

P-Channel 600V 10A Tc Surface Mount TO-268


得捷:
MOSFET P-CH 600V 10A TO268


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab TO-268


IXTT10P60中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT10P60
型号: IXTT10P60
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-268P-CH 600V 10A
替代型号IXTT10P60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTT10P60

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXTH10P60

IXYS Semiconductor

功能相似

IXTT10P60和IXTH10P60的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台