SQJ858AEP-T1_GE3

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SQJ858AEP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 1.5 V

漏源击穿电压 40 V

上升时间 9 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8L-4

外形尺寸

封装 PowerPAKSO-8L-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SQJ858AEP-T1_GE3
型号: SQJ858AEP-T1_GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5Pin4+Tab PowerPAK SO EP T/R

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