SI7942DP-T1-GE3

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SI7942DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 15 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI7942DP-T1-GE3
描述:VISHAY SI7942DP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 3.8A, 100V, 0.041Ω, 10V, 2V

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