SPI21N50C3HKSA1概述
TO-262 N-CH 500V 21A
N-Channel 500V 21A Tc 208W Tc Through Hole PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 500V 21A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
SPI21N50C3HKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 208W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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替代型号SPI21N50C3HKSA1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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