STW32N65M5

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STW32N65M5概述

N沟道650 V, 0.095 I© , 24 A, MDmeshâ ?? ¢在D²PAK , I²PAK V功率MOSFET , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247 N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

N-Channel 650V 24A Tc 150W Tc Through Hole TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the STW32N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 150000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes mdmesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 24A TO-247


STW32N65M5中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3320pF @100VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW32N65M5
型号: STW32N65M5
描述:N沟道650 V, 0.095 I© , 24 A, MDmeshâ ?? ¢在D²PAK , I²PAK V功率MOSFET , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247 N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
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