N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
立创商城:
N沟道 600V 1.2A
欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STD1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin DPAK T/R
富昌:
STD1HN60K3 系列 600 V 8 Ohm N 沟道 表面贴装 SuperMESH3 功率 Mosfet - DPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.76A; 27W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 600V 1,2A 8Ohm TO252 **
极性 N-CH
耗散功率 27 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 1.2A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 140pF @50VVds
额定功率Max 27 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 27W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99