STD1HN60K3

STD1HN60K3图片1
STD1HN60K3图片2
STD1HN60K3图片3
STD1HN60K3图片4
STD1HN60K3图片5
STD1HN60K3图片6
STD1HN60K3图片7
STD1HN60K3图片8
STD1HN60K3图片9
STD1HN60K3图片10
STD1HN60K3图片11
STD1HN60K3图片12
STD1HN60K3图片13
STD1HN60K3图片14
STD1HN60K3概述

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK


立创商城:
N沟道 600V 1.2A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STD1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin DPAK T/R


富昌:
STD1HN60K3 系列 600 V 8 Ohm N 沟道 表面贴装 SuperMESH3 功率 Mosfet - DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.76A; 27W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 600V 1,2A 8Ohm TO252 **


STD1HN60K3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 27 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 1.2A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 140pF @50VVds

额定功率Max 27 W

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 27W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD1HN60K3
型号: STD1HN60K3
描述:N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台