SI4500BDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4500BDY-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 8-SOIC

SI4500BDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.30 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 9.10 A

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4500BDY-T1-GE3

型号： SI4500BDY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

替代型号SI4500BDY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4500BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI4500BDY-T1-GE3和SI4500BDY-T1-E3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI4500BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

SI4500BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

完全替代