SIB911DK-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIB911DK-T1-GE3概述

MOSFET 20V 2.6A 3.1W 295mohm @ 4.5V

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

贸泽:
MOSFET 20V 2.6A 3.1W 295mohm @ 4.5V

DeviceMart:
MOSFET DL P-CH 20V PPAK SC75-6

SIB911DK-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.10 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -2.60 A

上升时间 45.0 ns

输入电容Ciss 115pF @10VVds

额定功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-75-6L

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-75-6L

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB911DK-T1-GE3

型号： SIB911DK-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 2.6A 3.1W 295mohm @ 4.5V