SIE830DF-T1-GE3

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SIE830DF-T1-GE3概述

MOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK®(S)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK


SIE830DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5.2W Ta, 104W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 5500pF @15VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE830DF-T1-GE3
型号: SIE830DF-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm @ 10V

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