SIRA54DP-T1-GE3

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SIRA54DP-T1-GE3概述

N-CH 40V

N-CHANNEL 40-V D-S MOSFET


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SIRA54DP-T1-GE3


艾睿:
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 / N-Channel 40 V 60A Tc 36.7W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8


SIRA54DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4.4 W

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 5300pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4400 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SIRA54DP-T1-GE3
型号: SIRA54DP-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:N-CH 40V

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