199D475X0035C2V1E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

199D475X0035C2V1E3中文资料参数规格

技术参数

电容 4.70 µF

容差 ±20 %

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买199D475X0035C2V1E3

型号： 199D475X0035C2V1E3

描述：CAP TANT 4.7uF 35V 20% RADIAL

替代型号199D475X0035C2V1E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
199D475X0035C2V1E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
199D475X9035C1V1E3 威世	功能相似	199D475X0035C2V1E3和199D475X9035C1V1E3的区别
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