FF900R12IP4DBOSA2概述
1200V PrimePACK™2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC.
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 900 A 5100 W 底座安装 模块
得捷:
IGBT MOD 1200V 900A 5100W
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW Automotive Tray
FF900R12IP4DBOSA2中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 54nF @25V
额定功率Max 5100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 5100000 mW
封装参数
封装 AG-PRIME2-1
外形尺寸
封装 AG-PRIME2-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Traction, Wind, Commercial and Agriculture Vehicles, Solar
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FF900R12IP4DBOSA2引脚图与封装图 
在线购买FF900R12IP4DBOSA2
型号： FF900R12IP4DBOSA2
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：1200V PrimePACK™2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC.