N沟道 650V 7.3A
表面贴装型 N 通道 7.3A(Tc) 63W(Tc) D²PAK(TO-263AB)
得捷:
IPB65R600 - 650V AND 700V COOLMO
立创商城:
N沟道 650V 7.3A
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
CoolMOS™ C6 combines Infineon"s experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.
富昌:
IPB65R600C6 系列 650 V 7.3 A 600 mOhm Cool MOSTM C6 功率晶体管-PG-TO-263
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO263-3
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
额定功率 63 W
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 63W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 440pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free