NGTD14T65F2WP

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NGTD14T65F2WP概述

沟槽场截止 650V IGBT, 650V 35A FS2 bare die

IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die


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沟槽场截止 650V IGBT, 650V 35A FS2 bare die


得捷:
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V WJAR


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Trans IGBT Chip N-CH 650V WJAR


NGTD14T65F2WP中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 -

外形尺寸

封装 -

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NGTD14T65F2WP
型号: NGTD14T65F2WP
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:沟槽场截止 650V IGBT, 650V 35A FS2 bare die

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