IS42RM32160E-75BLI-TR

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IS42RM32160E-75BLI-TR概述

动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 133Mhz Mobile S动态随机存取存储器

SDRAM - Mobile Memory IC Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA


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IS42RM32160E 75BLI TR


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DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R


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DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 2.5V 90-Pin F-BGA T/R


IS42RM32160E-75BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 6 ns

存取时间Max 8ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42RM32160E-75BLI-TR
型号: IS42RM32160E-75BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 133Mhz Mobile S动态随机存取存储器
替代型号IS42RM32160E-75BLI-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42RM32160E-75BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

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IS42RM32160C-75BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

IS42RM32160E-75BLI-TR和IS42RM32160C-75BLI-TR的区别

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