IXDN630YI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXDN630YI概述

低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

低端栅极驱动器 IC 非反相 TO-263-5

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

艾睿:
Driver 30A 1-OUT Low Side Non-Inv 6-Pin5+Tab TO-263 Tube

Chip1Stop:
Driver 30A 1-OUT Lo Side Non-Inv 6-Pin5+Tab TO-263 Tube

Verical:
Driver 30A 1-OUT Low Side Non-Inv 6-Pin5+Tab TO-263 Tube

IXDN630YI中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 11 ns

输出接口数 1

上升时间 11 ns

输出电流Max 30 A

下降时间 11 ns

电源电压 12.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TO-263-5

外形尺寸

长度 9.975 mm

宽度 9.15 mm

封装 TO-263-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IXDN630YI引脚图与封装图

在线购买IXDN630YI

型号： IXDN630YI

制造商： IXYS Semiconductor

描述：低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

替代型号IXDN630YI