IPI26CN10N G概述
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
通孔 N 通道 100 V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 35A I2PAK-3
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
IPI26CN10N G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 26 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 71 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2070pF @50VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 71W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IPI26CN10N G