IPP048N12N3 G

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IPP048N12N3 G概述

INFINEON  IPP048N12N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 120 V, 0.0041 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


立创商城:
IPP048N12N3 G


欧时:
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安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin3+Tab TO-220


IPP048N12N3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0041 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 120 V

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 12000pF @60VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPP048N12N3 G
型号: IPP048N12N3 G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IPP048N12N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 120 V, 0.0041 ohm, 10 V, 3 V

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