IXYS SEMICONDUCTOR IXA37IF1200HJ 单晶体管, IGBT, 58 A, 2.1 V, 195 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列
IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。
高功率密度和低 VCEsat
方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压
短路容量,确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高电压封装
欧时:
### IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCEsat 方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
得捷:
IGBT 1200V 58A 195W TO247
艾睿:
This IXA37IF1200HJ IGBT transistor from Ixys Corporation is an electronic switch that can handle large currents with very little gate current drive. Its maximum power dissipation is 195000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 125 °C. It is made in a single configuration. This device is made with xpt technology.
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 58A 195000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247 Tube
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXA37IF1200HJ IGBT Single Transistor, 58 A, 1.8 V, 195 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
针脚数 3
耗散功率 195 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 350 ns
额定功率Max 195 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 195 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, 替代能源, 医用, 维护与修理, Maintenance & Repair, Medical, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics, HVAC, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99