IPI60R385CP

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IPI60R385CP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 9.00 A

通道数 1

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

输入电容 790 pF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 790pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPI60R385CP
型号: IPI60R385CP
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

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