IXTA36N30P

IXTA36N30P图片1
IXTA36N30P图片2
IXTA36N30P图片3
IXTA36N30P图片4
IXTA36N30P图片5
IXTA36N30P图片6
IXTA36N30P图片7
IXTA36N30P概述

N沟道 300V 36A

N-Channel 300V 36A Tc Surface Mount TO-263 IXTA


得捷:
MOSFET N-CH 300V 36A TO263


立创商城:
N沟道 300V 36A


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this IXTA36N30P power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263


IXTA36N30P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2250pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA36N30P
型号: IXTA36N30P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 300V 36A
替代型号IXTA36N30P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTA36N30P

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXTQ36N30P

IXYS Semiconductor

完全替代

IXTA36N30P和IXTQ36N30P的区别

IXTP36N30P

IXYS Semiconductor

完全替代

IXTA36N30P和IXTP36N30P的区别

IXFH35N30S

IXYS Semiconductor

功能相似

IXTA36N30P和IXFH35N30S的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台