IXTF200N10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTF200N10T概述

ISOPLUS N-CH 100V 120A

N-Channel 100V 90A Tc 156W Tc Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
MOSFET N-CH 100V 90A I4PAC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC

IXTF200N10T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 156W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-i4-3

外形尺寸

封装 ISOPLUS-i4-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTF200N10T

型号： IXTF200N10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS N-CH 100V 120A