IXDN55N120D1

IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，IXYS

### IGBT 分立元件和模块，IXYS

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B

欧时:
IXYS IXDN55N120D1 N沟道 IGBT, Vce=1200 V, 100 A, 1MHz, 4引脚 SOT-227B封装

艾睿:
Don&s;t be afraid to step up the amps in your device when using this IXDN55N120D1 IGBT transistor from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 450000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. It is made in a single dual emitter configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 4-Pin SOT-227B

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 450000mW 4-Pin SOT-227B

Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXDN55N120D1  IGBT, N-CH, 1.2KV, 100A, SOT-227B New

Win Source:
IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B