IPI65R110CFD中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 277.8 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 700 V
连续漏极电流Ids 31.2A
上升时间 11 nS
输入电容Ciss 3240pF @100VVds
额定功率Max 277.8 W
下降时间 6 nS
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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