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PD55008-E概述

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

射频 MOSFET ，STMicroelectronics

射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

得捷:
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

欧时:
STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET PD55008-E, 4 A, Vds=40 V, 3引脚 PowerSO封装

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF POWER TRANS

e络盟:
晶体管, 射频FET, LdmoST, N-沟道, 40 V, 4 A, 52.8 W, PowerSO-10RF

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 4A 4-Pin2+2Tab PowerSO-10RF Formed lead Tube

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF Formed lead Tube

DeviceMart:
TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10

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