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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.925278 | ¥2775.83 |
6000 | ¥0.865583 | ¥5193.50 |
15000 | ¥0.805887 | ¥12088.31 |
30000 | ¥0.764077 | ¥22922.31 |
75000 | ¥0.746192 | ¥55964.40 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 60 mA
漏源电阻 25 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 75 mS
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 8 mg
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0ZVN3320FTA
型号:ZVN3320FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.925278 |
6000+: | ¥0.865583 |
15000+: | ¥0.805887 |
30000+: | ¥0.764077 |
75000+: | ¥0.746192 |
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