IXTH13N80

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IXTH13N80概述

TO-247AD N-CH 800V 13A

通孔 N 通道 800 V 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247


得捷:
MOSFET N-CH 800V 13A TO247


IXTH13N80中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 13A

输入电容Ciss 4500pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH13N80
型号: IXTH13N80
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247AD N-CH 800V 13A

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