SD5491-004

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SD5491-004概述

HONEYWELL  SD5491-004  光电耦合器, 硅光电晶体管

SD5491 系列

的 SD5491 系列是 NPN 硅光电晶体管系列。 它们采用 TO-18 金属罐封装,使其特别适合用于恶劣环境中。 SD5491 具有两面凸透镜,实现高光学敏感度和仅 12° 的接受角。

SD5491 光电晶体管的特点:

TO-18 金属罐封装

接受角:12°

工作温度:-55 至 +125°C

快速响应时间

宽灵敏度范围


欧时:
Honeywell 红外 光电晶体管 SD5491-004, 12 °半感光角度, 3 引脚 TO-18 封装


得捷:
SENSOR PHOTO 935NM TOP TO206AA


贸泽:
光电晶体管 Silicon PhotoTrans TO-18 Mtl Can Pkg


e络盟:
光电耦合器, 硅光电晶体管


艾睿:
No Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3-Pin TO-18


Allied Electronics:
Detector; Phototransistor; TO-18; NPN; 12 deg; 30 V; 0.4 V; 4 mA Max.; 100 nA


Chip1Stop:
Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3-Pin TO-18


Verical:
Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3-Pin TO-18


儒卓力:
**PHOTOTRANSISTOR 24° TO18 4-8 MA **


MASTER:
Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3-Pin TO-18


Powell:
Sensors, Infrared Sensors, Emitter


Online Components:
Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3-Pin TO-18


Electro Sonic:
Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3-Pin TO-18


SD5491-004中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 15 ns

输出电流 ≤8.00 mA

针脚数 3

波长 935 nm

视角 12°

峰值波长 935 nm

极性 NPN

耗散功率 150 mW

上升时间 2 µs

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 150 mW

下降时间 2 µs

下降时间Max 2000 ns

上升时间Max 2000 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

长度 17.77 mm

宽度 5.38 mm

高度 5.97 mm

直径 5.38 mm

脚长度 0.5 in

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8541407080

数据手册

在线购买SD5491-004
型号: SD5491-004
描述:HONEYWELL  SD5491-004  光电耦合器, 硅光电晶体管
替代型号SD5491-004
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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