SIB900EDK-T1-GE3

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SIB900EDK-T1-GE3概述

MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6


贸泽:
MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V


DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6


SIB900EDK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75-6L

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-75-6L

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB900EDK-T1-GE3
型号: SIB900EDK-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6

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