IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C2 IGBT Single Transistor, 75A, 2.7V, 250W, 600V, TO-247AD, 3Pins
Features
• DCB Isolated mounting tab
• Meets TO-247AD package Outline
• High current handling capability
• Latest generation HDMOSTM process
• MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
• Uninterruptible power supplies UPS
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers
Advantages
• Easy assembly
• High power density
• Very fast switching speeds for high frequency applications
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
上升时间 35.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXGR60N60C2 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IRGP4650DPBF 英飞凌 | 功能相似 | IXGR60N60C2和IRGP4650DPBF的区别 |