IXGR60N60C2

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IXGR60N60C2概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C2 IGBT Single Transistor, 75A, 2.7V, 250W, 600V, TO-247AD, 3Pins

Features

• DCB Isolated mounting tab

• Meets TO-247AD package Outline

• High current handling capability

• Latest generation HDMOSTM process

• MOS Gate turn-on

   - drive simplicity

Applications

• Uninterruptible power supplies UPS

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Advantages

• Easy assembly

• High power density

• Very fast switching speeds for high frequency applications

IXGR60N60C2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

上升时间 35.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXGR60N60C2
型号: IXGR60N60C2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C2 IGBT Single Transistor, 75A, 2.7V, 250W, 600V, TO-247AD, 3Pins
替代型号IXGR60N60C2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGR60N60C2

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IRGP4650DPBF

英飞凌

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IXGR60N60C2和IRGP4650DPBF的区别

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