IXYS SEMICONDUCTOR IXTP75N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
艾睿:
This IXTP75N10P power MOSFET from Ixys Corporation can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 360000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with polarht technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin3+Tab TO-220
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin3+Tab TO-220
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXTP75N10P MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 W
阈值电压 5.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 53 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
额定功率Max 360 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXTP75N10P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
STP40NF10 意法半导体 | 功能相似 | IXTP75N10P和STP40NF10的区别 |
STP60NF10 意法半导体 | 功能相似 | IXTP75N10P和STP60NF10的区别 |
HUF75645P3 飞兆/仙童 | 功能相似 | IXTP75N10P和HUF75645P3的区别 |