IXFK26N90参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFK26N90概述

TO-264AA N-CH 900V 26A

N-Channel 900 V 26A Tc 560W Tc Through Hole TO-264AA IXFK

得捷:
MOSFET N-CH 900V 26A TO-264

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 26A 3-Pin3+Tab TO-264AA

IXFK26N90中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 560W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 10800pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFK26N90

型号： IXFK26N90

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-264AA N-CH 900V 26A

替代型号IXFK26N90