STGB10M65DF2

STMICROELECTRONICS  STGB10M65DF2  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 引脚

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

立创商城:
STGB10M65DF2

得捷:
IGBT 650V 10A D2PAK

欧时:
IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

e络盟:
单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 D2PAK, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3

儒卓力:
**IGBT 650V 10A 1,55V D2PAK **

Win Source:
IGBT 650V 10A D2PAK / IGBT Trench Field Stop 650 V 20 A 115 W Surface Mount D²PAK TO-263