VISHAY SI3410DV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
Allied Electronics:
SI3410DV-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 30 V, 6-Pin TSOP
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
富昌:
Si3410DV 系列 30 V 19.5 mOhm 表面贴装 N 沟道 MOSFET - TSOP-6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
Newark:
# VISHAY SI3410DV-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CHANNEL-FET 8A 30V TSOP-6 **
针脚数 6
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 4.1 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
输入电容Ciss 1295pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI3410DV-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI3434DV-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI3410DV-T1-GE3和SI3434DV-T1-GE3的区别 |