SI3410DV-T1-GE3

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SI3410DV-T1-GE3概述

VISHAY  SI3410DV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R


Allied Electronics:
SI3410DV-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 30 V, 6-Pin TSOP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
Si3410DV 系列 30 V 19.5 mOhm 表面贴装 N 沟道 MOSFET - TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI3410DV-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CHANNEL-FET 8A 30V TSOP-6 **


SI3410DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 4.1 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 1295pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI3410DV-T1-GE3
型号: SI3410DV-T1-GE3
描述:VISHAY  SI3410DV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SI3410DV-T1-GE3
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