SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3图片1
SI1902DL-T1-GE3图片2
SI1902DL-T1-GE3图片3
SI1902DL-T1-GE3图片4
SI1902DL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.32 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 270 mW

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 16 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI1902DL-T1-GE3
型号: SI1902DL-T1-GE3
描述:双N沟道20 V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20 V D-S MOSFET

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司