Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW32N50C3FKSA1, 32 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW32N50C3FKSA1, 32 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
立创商城:
N沟道 560V 32A
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 32 A, 560 V, 110 mohm, 10 V, 3 V
额定电压DC 560 V
额定电流 32.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 284 W
阈值电压 3 V
输入电容 4.20 nF
栅电荷 170 nC
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 4200pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 284W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, 电源管理, 通信与网络, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC