STH185N10F3-2概述
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
欧时:
### N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
艾睿:
MOSFET POWER MOSFET
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin H2PAK-2 T/R
STH185N10F3-2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 315 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 97.1 ns
输入电容Ciss 6665pF @25VVds
下降时间 6.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 315W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买STH185N10F3-2
型号： STH185N10F3-2
描述：N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics