STTH806DT

STTH806DT图片1
STTH806DT中文资料参数规格
技术参数

反向恢复时间 30 ns

正向电压Max 3.6V @8A

工作结温 175℃ Max

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STTH806DT
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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