SQ4431EY-T1_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SQ4431EY-T1_GE3概述

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

表面贴装型 P 通道 30 V 10.8A（Tc） 6W（Tc） 8-SOIC

得捷:
MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO

SQ4431EY-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 6 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1265pF @15VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQ4431EY-T1_GE3

型号： SQ4431EY-T1_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

替代型号SQ4431EY-T1_GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SQ4431EY-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SQ4431EY-T1_GE3和SQ4431EY-T1-GE3的区别
SQ4942EY-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SQ4431EY-T1_GE3和SQ4942EY-T1-GE3的区别
SQ4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SQ4431EY-T1_GE3和SQ4470EY-T1-GE3的区别