IRG7PH28UD1PBF

IRG7PH28UD1PBF图片1
IRG7PH28UD1PBF图片2
IRG7PH28UD1PBF图片3
IRG7PH28UD1PBF图片4
IRG7PH28UD1PBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 115000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube

IGBT Trench 1200V 30A 115W Through Hole TO-247AC


得捷:
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247AC Tube


TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 30A; 115W; TO247-3


IRG7PH28UD1PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 115 W

耗散功率 115000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 115 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG7PH28UD1PBF
型号: IRG7PH28UD1PBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 115000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube
替代型号IRG7PH28UD1PBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRG7PH28UD1PBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

STGW15H120DF2

意法半导体

功能相似

IRG7PH28UD1PBF和STGW15H120DF2的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司