IPB010N06N

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IPB010N06N概述

INFINEON  IPB010N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2.8 V

OptiMOS™5 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 60V 180A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7


欧时:
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin6+Tab TO-263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 180A 1mOhm TO263-7 **


力源芯城:
60V,1mΩ,180A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7


IPB010N06N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

漏源极电阻 0.0008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 15000pF @30VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: IPB010N06N
描述:INFINEON  IPB010N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2.8 V

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