INFINEON IPB010N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2.8 V
OptiMOS™5 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 60V 180A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
欧时:
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin TO-263 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin6+Tab TO-263
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 180A 1mOhm TO263-7 **
力源芯城:
60V,1mΩ,180A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
针脚数 7
漏源极电阻 0.0008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 15000pF @30VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 10.31 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99